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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
47
左右 -42% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.0
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
33
读取速度,GB/s
11.8
15.0
写入速度,GB/s
8.0
11.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2637
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
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