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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
71
左右 34% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.8
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
71
读取速度,GB/s
11.8
14.8
写入速度,GB/s
8.0
7.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
1799
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire CL15-15-15 D4-3000 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
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