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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
47
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.8
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
23
读取速度,GB/s
11.8
15.8
写入速度,GB/s
8.0
10.1
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2373
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
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Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
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Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
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