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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
47
左右 -57% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.1
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
30
读取速度,GB/s
11.8
16.1
写入速度,GB/s
8.0
11.1
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2962
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
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