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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.0
5.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.2
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
11.8
13.2
写入速度,GB/s
8.0
5.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
1699
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BDBS 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
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