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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
67
左右 30% 更低的延时
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.9
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
67
读取速度,GB/s
11.8
15.9
写入速度,GB/s
8.0
8.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
1850
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
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