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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
47
左右 -81% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
26
读取速度,GB/s
11.8
19.4
写入速度,GB/s
8.0
15.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3648
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
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SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
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