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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
25
47
左右 -88% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.3
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
25
读取速度,GB/s
11.8
14.3
写入速度,GB/s
8.0
11.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2945
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3333C16 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
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