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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB

总分
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

总分
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB

G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB 需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    27 left arrow 47
    左右 -74% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    22.7 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.9 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 27
  • 读取速度，GB/s
    11.8 left arrow 22.7
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 14.9
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2061 left arrow 3861

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较

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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
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内存RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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内存RAM
Kingston KF552C40-16 16GB
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Kingston 9905625-142.A00G 16GB
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内存RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
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ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
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内存RAM
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
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Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
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内存RAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
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内存RAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Kingston 9905665-021.A00G 4GB
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内存RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
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Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
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内存RAM
Corsair CMZ32GX3M4A1600C9 8GB
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内存RAM
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
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