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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
47
左右 -104% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.6
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
23
读取速度,GB/s
11.8
19.6
写入速度,GB/s
8.0
17.6
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
4100
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
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