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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Kingston 9905625-152.A00G 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.4
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
11.8
15.4
写入速度,GB/s
8.0
12.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2919
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
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