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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

总分
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

总分
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB 需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB 需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    38 left arrow 47
    左右 -24% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    13.9 left arrow 11.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    10.5 left arrow 8.0
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    47 left arrow 38
  • 读取速度，GB/s
    11.8 left arrow 13.9
  • 写入速度，GB/s
    8.0 left arrow 10.5
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    2061 left arrow 2400

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较

Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB RAM的比较

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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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最新比较

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Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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内存RAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
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内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
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内存RAM
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