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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
47
左右 -68% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.8
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.7
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
28
读取速度,GB/s
11.8
13.8
写入速度,GB/s
8.0
8.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2443
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G32S816SK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
A-DATA Technology MI64C1D1629Z1 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
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