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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
58
左右 19% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.8
9.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
58
读取速度,GB/s
11.8
9.7
写入速度,GB/s
8.0
7.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2172
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
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Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
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