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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
47
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.6
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
24
读取速度,GB/s
11.8
15.6
写入速度,GB/s
8.0
11.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2767
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
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Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
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Kingston 99P5471-033.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-036.A00LF 8GB
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Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
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