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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
11.8
11
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
33
47
左右 -42% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
33
读取速度,GB/s
11.8
11.0
写入速度,GB/s
8.0
8.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2200
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Elpida EBJ10UE8BDF0-DJ-F 1GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
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