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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
56
左右 16% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
11.8
9.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
56
读取速度,GB/s
11.8
9.5
写入速度,GB/s
8.0
7.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
2138
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
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