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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
24
47
左右 -96% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.6
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
24
读取速度,GB/s
11.8
19.0
写入速度,GB/s
8.0
17.6
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3907
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
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Crucial Technology CB8GS2400.C8JT 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3200C18D4/4G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
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