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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
47
73
左右 36% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.0
7.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
14.9
11.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
73
读取速度,GB/s
11.8
14.9
写入速度,GB/s
8.0
7.6
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
1727
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
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V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
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