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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
47
左右 -52% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.2
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.4
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
31
读取速度,GB/s
11.8
21.2
写入速度,GB/s
8.0
15.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3486
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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Wilk Elektronik S.A. GX3236D464S/8GSBS1 8GB RAM的比较
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TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
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