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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
比较
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
总分
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
总分
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
21
47
左右 -124% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.6
11.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
8.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
47
21
读取速度,GB/s
11.8
17.6
写入速度,GB/s
8.0
12.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2061
3126
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM的比较
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
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OCMEMORY OCM3200CL16D-16GBN 8GB
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Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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