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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
比较
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
总分
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
总分
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
42
左右 -83% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.2
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.0
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
23
读取速度,GB/s
12.0
17.2
写入速度,GB/s
7.2
13.0
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1933
2915
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Samsung M3 78T2863QZS-CE6 1GB
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Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
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