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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
比较
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
总分
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
总分
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
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规格
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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
42
左右 -40% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.9
7.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
30
读取速度,GB/s
12.0
15.1
写入速度,GB/s
7.2
9.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1933
2732
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-O 8GB
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