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Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
比较
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
总分
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
总分
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
42
左右 -62% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.9
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
7.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR3
PassMark中的延时,ns
42
26
读取速度,GB/s
12.0
13.9
写入速度,GB/s
7.2
9.5
内存带宽,mbps
12800
12800
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
排名PassMark (越多越好)
1933
2432
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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