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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
12.0
14.4
写入速度,GB/s
7.8
9.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2394
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Ramaxel Technology RMR5030MN68F9F1600 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
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Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
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