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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

总分
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

总分
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB 需要考虑的原因
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    22 left arrow 45
    左右 -105% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.4 left arrow 12
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    13.0 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    17000 left arrow 12800
    左右 1.33 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 22
  • 读取速度，GB/s
    12.0 left arrow 17.4
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 13.0
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 17000
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1939 left arrow 3162

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
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内存RAM
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
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SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
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内存RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
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内存RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
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内存RAM
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
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SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
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SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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