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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
22
45
左右 -105% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.2
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
22
读取速度,GB/s
12.0
18.2
写入速度,GB/s
7.8
13.9
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3138
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMD32GX4M2B2800C14 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
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