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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
差异
规格
评论
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
36
45
左右 -25% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15.1
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.4
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
36
读取速度,GB/s
12.0
15.1
写入速度,GB/s
7.8
12.4
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2871
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
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Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
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