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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

总分
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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB

总分
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Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB 需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB 需要考虑的原因
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
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  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    29 left arrow 45
    左右 -55% 更低的延时
  • 更快的读取速度，GB/s
    17.4 left arrow 12
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    14.2 left arrow 7.8
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽，mbps
    21300 left arrow 12800
    左右 1.66 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    45 left arrow 29
  • 读取速度，GB/s
    12.0 left arrow 17.4
  • 写入速度，GB/s
    7.8 left arrow 14.2
  • 内存带宽，mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 描述
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • 时序/时钟速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    1939 left arrow 3398

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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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