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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
92
左右 51% 更低的延时
需要考虑的原因
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.1
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
8.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
92
读取速度,GB/s
12.0
15.1
写入速度,GB/s
7.8
8.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
1640
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C14-16GFX 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
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