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AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
比较
AMD R534G1601U1S-UO 4GB vs Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
总分
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
总分
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
27
29
左右 7% 更低的延时
需要考虑的原因
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
18.3
14.7
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.2
9.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X8GF2666Z16K4 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
29
读取速度,GB/s
14.7
18.3
写入速度,GB/s
9.2
14.2
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2272
3330
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3000C15 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
ASint Technology SSY2128M8-JGE3B 1GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
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