RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
92
Wokół strony 51% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.1
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
92
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
1640
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Team Group Inc. DDR4 2666 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link