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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
45
92
En 51% menor latencia
Razones a tener en cuenta
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.2
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
92
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
8.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
1640
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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V-GEN D4H8GS24A8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
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