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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
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Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
12.0
17.3
写入速度,GB/s
7.8
15.0
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3675
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBR2 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
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