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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
38
45
左右 -18% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.5
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
38
读取速度,GB/s
12.0
14.5
写入速度,GB/s
7.8
10.5
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2659
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology D22.2221ZA.001 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
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