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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
45
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.6
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
32
读取速度,GB/s
12.0
21.6
写入速度,GB/s
7.8
15.5
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3684
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GIS 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
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