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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
差异
规格
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需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
45
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
13.3
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.0
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
30
读取速度,GB/s
12.0
13.3
写入速度,GB/s
7.8
10.0
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2306
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calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
SK Hynix HMT41GU6MFR8C-PB 8GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
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