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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Compara
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Puntuación global
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
45
En -50% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.3
12
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.0
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
45
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.0
13.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.8
10.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1939
2306
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
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