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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
45
左右 -73% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.2
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
26
读取速度,GB/s
12.0
14.2
写入速度,GB/s
7.8
11.3
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2978
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
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