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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
28
45
左右 -61% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.3
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.2
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZA 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
28
读取速度,GB/s
12.0
17.3
写入速度,GB/s
7.8
12.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3209
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
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