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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
30
45
左右 -50% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
21.4
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
17.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
30
读取速度,GB/s
12.0
21.4
写入速度,GB/s
7.8
17.8
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
4156
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVR 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
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