RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
45
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
4156
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link