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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
45
左右 -36% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.5
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.5
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
12800
左右 1.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
33
读取速度,GB/s
12.0
17.5
写入速度,GB/s
7.8
13.5
内存带宽,mbps
12800
21300
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3438
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
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