RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Porównaj
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Wynik ogólny
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wynik ogólny
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
45
Wokół strony -36% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
45
33
Prędkość odczytu, GB/s
12.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
7.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1939
3438
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link