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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
45
左右 -45% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
19.5
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.3
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
31
读取速度,GB/s
12.0
19.5
写入速度,GB/s
7.8
14.3
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3518
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
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Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
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