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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Kingston XRGM6C-MIE 16GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
32
45
左右 -41% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.5
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.8
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
32
读取速度,GB/s
12.0
16.5
写入速度,GB/s
7.8
13.8
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3347
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
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