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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
比较
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB vs Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
总分
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
总分
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,013.5
15.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
43
68
左右 -58% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
25600
6400
左右 4 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
68
43
读取速度,GB/s
4,402.8
16.8
写入速度,GB/s
2,013.5
15.4
内存带宽,mbps
6400
25600
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
701
3282
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Kingston 99U5403-050.A00LF 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GNT 8GB
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