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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
比较
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
总分
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
总分
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
30
46
左右 -53% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
11.5
1,519.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
3200
左右 5.31 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
30
读取速度,GB/s
2,909.8
15.9
写入速度,GB/s
1,519.2
11.5
内存带宽,mbps
3200
17000
Other
描述
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
241
2494
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
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Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
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Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
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