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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
29
45
左右 -55% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16.1
12
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
14.1
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
29
读取速度,GB/s
12.0
16.1
写入速度,GB/s
7.8
14.1
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
3285
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
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