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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
比较
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
总分
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
总分
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
45
46
左右 2% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12
11
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
8.7
7.8
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
46
读取速度,GB/s
12.0
11.0
写入速度,GB/s
7.8
8.7
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
1939
2481
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
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Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905625-096.A00G 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
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